原裝美國Sinton BLS-I檢測儀

CT-400測量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測量模式。該設(shè)備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。

 BLS-I/BCT-400產(chǎn)品規(guī)格
壽命值測量范圍：100 ns至> 10 ms
電阻率測量范圍：0.5-300 Ohm-cm
測量（分析）模式
環(huán)境工作溫度：20°C-25°C
電源：BLS-I/BCT-400: 40 W
計(jì)算機(jī)與顯示器:200w
光源:60w
尺寸（無手柄）
BLS-I: 7.9 cm W x 16.3 cm D x 12.7 cm H
BCT-400: 6.1 cm W x 15.0 cm D x 12.7 cm H
通用電壓：100-240 VAC 50/60 Hz

BLS-I測量系統(tǒng)用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個(gè)測量平面外，對樣塊 體形無嚴(yán)格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體 內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項(xiàng)目。

BLS-I測量系統(tǒng)用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個(gè)測量平面外，對樣塊 體形無嚴(yán)格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體 內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項(xiàng)目。

原裝美國Sinton BLS-I檢測儀